随着电子元器件向集成化、高频化、小型化的发展,厚膜电阻器件在众多领域逐渐被薄膜电阻器件所取代。钽氮化物（TaNx）因其优秀的物理化学稳定性及低电阻温度系数（TCR）等特性而被广泛用作薄膜电阻材料。本课题组之前已经研究了磁控溅射制备高性能TaNx薄膜的制备工艺,以及退火工艺对TaNx薄膜的影响。在此基础上,本文采用磁控溅射技术制备缓冲层/钽氮化物（TaNx）薄膜,通过观察薄膜形貌、薄膜结构、测试电阻率与TCR等方式研究薄膜特性,系统性研究不同缓冲层及退火条件对TaNx薄膜性能的影响规律,具体内容如下:首先,采用磁控溅射技术制备氧化锌（ZnO）薄膜,研究ZnO缓冲层的制备方式与其对TaNx薄膜的影响规律。结果表明,氩气流量与氧气流量的提高能够降低ZnO薄膜沉积速率,反之则会显著提高ZnO沉积速率。同时,对缓冲层空气退火能够进一步提升ZnO（002）择优取向与薄膜结晶质量,并且有效提高薄膜电阻率,优化其作为缓冲层的作用。在ZnO缓冲层上生长TaNx薄膜的结晶程度有所提高,其TCR值由-78.0 ppm/℃提升至-64.7 ppm/℃。其次,对ZnO缓冲层以及TaNx薄膜进行退火处理,研究不同退火工艺对TaNx薄膜性能的影响。结果表明,在空气中退火的缓冲层能够使得钽氮化物薄膜的TCR值得到优化提升,该现象在ZnO缓冲层厚度为500 nm时最为明显。对于TaNx薄膜的退火,不同的退火氛围都能在较薄厚度的ZnO缓冲层上提高薄膜TCR,经过合适的退火流程,薄膜TCR最高提升至-43.5 ppm/℃。但在ZnO缓冲层较厚时,整体退火会使薄膜TCR值普遍下降。最后,采用磁控溅射技术制备氮化铝（AlN）薄膜,研究AlN缓冲层的制备方式与其对TaNx薄膜的影响规律。作者发现氮气流量的增加能够显著降低AlN薄膜的沉积速率。随着AlN缓冲层厚度的增加,钽氮化物薄膜电阻率降低,TCR值提高。当缓冲层厚度为180 nm时,薄膜TCR值提升至-55.6 ppm/℃。通过XRD表征结果可知随着AlN缓冲层厚度的增加,AlN（002）晶相择优生长,因而可以通过晶格匹配实现薄膜中Ta2N（002）的择优取向。