能带工程的开展与取得的成果使得对异质结的关注与研究越来越广泛。两种半导体材料禁带宽度不同以及界面态等因素的影响,使得异质结具有许多不同于同质结新的特性,实现了同质结不能实现的功能。近年来对纳米薄膜材料的研究(如ZnO、SiC等)又为我们在异质结的制作方面提供了新的思路。随着气相淀积技术的日益成熟,低压化学气相淀积(LPCVD)、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)等淀积方法历经多年完善后,已经可以制作出纳米尺度的薄膜材料。本文在采用LPCVD方法淀积制得纳米硅薄膜的基础上,通过CMOS平面工艺将纳米硅薄膜与单晶硅衬底制成平面型纳米硅/单晶硅同型异质结二极管。对制得的纳米硅薄膜采用扫描电子显微镜进行形貌分析,同时对研制的纳米硅/单晶硅同型异质结二极管电流-电压(I-V)特性,电容-电压(C-V)特性及温度特性进行了实验测试。实验结果表明,纳米硅/单晶硅同型异质结二极管在与衬底之间形成pn结结构时呈现良好的整流特性;反向漏电流在纳安级别内;常温下其开启电压约为0.37V;温度特性良好,温度每增加10℃开启电压只减小0.025V。本文阐述的纳米硅/单晶硅异质结二极管的制作方法简单,与CMOS工艺相兼容,便于与其它元器件(如异质结晶体管、压力传感器等)集成。制作纳米硅薄膜的LPCVD工艺发展成熟且已被广泛应用。由于纳米硅/单晶硅异质结二极管具有良好的电学特性、温度特性、光、压敏等特性,将在半导体器件、光电子器件、集成电路等领域内广泛发挥作用。本文研究结果表明,纳米硅/单晶硅异质结二极管将会在今后有更加广泛的应用领域。