非晶硅（a-Si）具有特殊的光学、电学性质，并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态（主要缺陷态是悬挂键），使其在实际应用方面受到了约束。对于氢化非晶硅（a-Si:H），由于氢的介入使得氢化非晶硅的缺陷密度比未氢化的非晶硅大大降低，从而使其符合器件级质量材料的要求。a-Si:H薄膜已经广泛应用于太阳能电池等领域。但是 a-Si:H 的沉积速率和质量很大程度上受到制备工艺的影响。为了获得高速沉积下的高品质 a-Si:H 薄膜，使其能够产业化，微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法在国际上受到了人们广泛的重视。MWECR CVD 方法具有电子和离子产生率高等优点，人们期望它能在较高的沉积速率下获得器件级质量的 a-Si:H 薄膜。因此，我们用 MWECR CVD系统在不同的工艺条件下沉积了 a-Si:H 薄膜。用 MWECR CVD 制备非晶硅薄膜研究H2/SiH4稀释比对a-Si:H 薄膜结构的影响。同时研究了衬底温度对 a-Si:H 结构的影响，发现适当提高衬底温度有利于沉积过程，从而改善薄膜的结构。a-Si:H 薄膜的一系列特性同膜中的氢存在密切关系，一方面，氢以单氢化合物(Si-H)方式结合到膜中，从而饱和了膜中的悬挂键；另一方面，氢以多氢化合物(Si-H2、Si-H3和(Si-H2)n)方式结合到膜中，反而在膜中引入了缺陷，使带隙中的局域态密度增大。本文依据合理的基线将付里叶变换红外(FTIR)透过率谱转换成了吸收系数谱。通过计算吸收系数谱中摇摆模吸收带和伸缩模吸收带的面积，计算得到膜中的氢含量和硅氢键的配置方式。随着衬底温度升高，以单氢化合物结合的氢含量基本保持不变，而以多氢化合物结合的氢含量逐步减少。本论文对 a-Si:H 薄膜进行了一系列的喇曼测试，并针对沉积温度以及不同退火条件下薄膜的喇曼谱图进行了分析。随着沉积温度的增加，薄膜开始呈现出非晶/微晶相混合的结构。与此同时，本论文也进行了对 a-Si:H 薄膜光学带隙的计算，并发现伴随着衬底温度升高，光学带隙减少。a-Si:H 光学带隙的增大是膜中氢含量尤其是以多氢化合物结合的氢含量增加的结果。