ZnO是一种宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。因此,ZnO材料在制备电子器件及光电子器件等方面都有着很好的应用价值。目前关于ZnO发光器件的制备已经成为了国内外的研究热点,本文通过简单的化学气相沉积方法制备出了不同Sb掺杂含量的ZnO纳米线和p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光器件并对其表面形貌、晶体结构和光学等特性进行了研究。取得的结果如下：(1)利用简单的化学气相沉积方法,在Si(111)衬底上制备出不同Sb含量的ZnO纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XrD)以及低温光致发光(PL)对样品的表面形貌、晶体结构和光学特性进行了表征,发现随着Sb掺杂量的增加,ZnO纳米线的取向性和晶体质量逐渐变差。在能量色散谱(EDS)中还观测到了Sb元素的存在,并且发现随着Sb掺杂量的增加,样品中Sb元素的摩尔百分含量也相继增加。此外,在低温光致发光(PL)光谱中还观测到了与Sb掺杂相关的中性受主束缚激子发光峰(A0X)、自由电子到受主能级跃迁的发光峰(FA)和施主-受主对(DAP)等发光峰的存在,说明Sb元素作为受主掺杂已经进入ZnO晶格。(2)利用简单的化学气相沉积方法在,Si(111)衬底上制备出Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制备出了p-ZnO/n-Si异质结LED。对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800℃下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和电学特性有了明显的改善,退火后样品呈现的电导类型为P型,载流子浓度为8.94×1016。在低温PL光谱中我们观测到了与Sb相关的受主发光峰。通过对制备的p-ZnO/n-Si异质结发光器件光电特性的研究,表明该器件具有良好的整流特性,正向开启电压为4.2V,反向击穿电压为8.5V。在正向45mA的注入电流条件下,器件实现了室温下的电致发光。这个结果证实了ZnO薄膜的发光器件也可以通过简单的化学气相沉积方法实现。