【摘 要】
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本文采用脉冲阳极氧化的方法(PAO)替代了以往的热蒸镀和磁控溅射方法。操作方法简单工艺周期短,与以往方法形成的SiO2相比,脉冲阳极氧化方法成膜质量好。同时介绍了InGaAsN这
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本文采用脉冲阳极氧化的方法(PAO)替代了以往的热蒸镀和磁控溅射方法。操作方法简单工艺周期短,与以往方法形成的SiO2相比,脉冲阳极氧化方法成膜质量好。同时介绍了InGaAsN这种特性材料的优点,形成机制,波长范围,温敏特性等。对其中In和N的组分配比做了分析。外延片采用MBE系统生长,结合F-P腔和脊型波导结构,并对后续工艺做了细致的介绍和说明。这为我们本文获得高性能的InGaAaN应变量子阱激光器做了铺垫。我们对设计并制作出的激光器进行了数据测试,得到结果如下：在室温20摄氏度时,InGaAsN应变量子阱激光器的阈值电流为29mA,阂值电流密度290A/cm2,连续工作时最大输出功率15mW,斜率效率0.125W/A,特征温度为133K。激射出的波长为1.3μm。通过对比分析得出结论,脉冲阳极氧化方法制备的钝化层与普通的磁控溅射方法制备的SiO2钝化层相比,有着更好的致密性和牢固度。
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