【摘 要】
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该论文提出了一种全新的凹槽环绕栅结构,并对器件模拟和制备工艺技术进行了深入研究,获得的研究成果如下：1.在调研了器件尺寸缩小所面临的挑战和各种新型结构的基础上,创新地
【出 处】
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中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所
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该论文提出了一种全新的凹槽环绕栅结构,并对器件模拟和制备工艺技术进行了深入研究,获得的研究成果如下：1.在调研了器件尺寸缩小所面临的挑战和各种新型结构的基础上,创新地提出了一种可行的凹槽环绕栅结构,把自对准双栅结构和凹槽结构结合起来,形成零结深或负结深,极大的抑制了短沟道效应,同时器环绕栅结构使驱动能力大大增加,提高了器件的性能,是一种很有竞争力的结构设想.2.对影响器件性能的主要参数作了讨论和分析,并在此基础上对器件的电学性能进行模拟,优化了各工艺参数.3.创新地提出了一种新结构应用到MILC（金属诱导再结晶）工艺中,通过在埋氧层上开出孜晶窗口使得非晶硅层与衬底单晶相连,减小了结晶形成多晶硅中的缺陷,提高了多晶硅晶粒的质量.4.对关键工艺进行了研究和开发,包括：独立开发了细线条五层介质层的刻蚀,获得了侧壁陡直度良好的小尺寸线条;成功地用旋涂稀释后的光刻胶经过回蚀后达到良好的平坦化结果;采用光学光刻和灰化技术获得50nm的线条;并对大晶粒多晶硅的氧化和杂质扩散进行了研究.5.研制成功了性能优良的0.3μm的凹槽环形栅器件,在体硅材料上实现了准SOI结构,器件实现了自隔离.
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