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ZnO具有六角纤锌矿的晶体结构,是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下的带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV。由于具有大的束缚能,激子更易在室温下实现高效率的激光发射,是一种适用于在室温或更高温度下应用的短波长发光材料。因此,在平面显示器、太阳能电池透明电极、气敏元件等光电子器件领域有着广阔的应用前景,成为半导体领域里的一个研究热点。本论文系统地研究了采用KrF准分子脉冲激光沉积技术制备ZnO薄膜的工艺和性质,用X射线衍射(XRD)、荧光光谱(PL)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显