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碳化硅材料具有宽能带结构，高熔点，优秀的热稳定性和化学稳定性等性质，被广泛应用于大功率器件。碳化硅准一维纳米材料具有可以与碳纳米管相比拟的场致电子发射特性，在真空微电子器件中有着强大的应用潜力。
本文采用自主发展的方法制备碳化硅纳米线，探索在不同衬底(不锈钢衬底、硅单晶衬底)上生长碳化硅准一维纳米线结构，并对其进行表征与分析。同时，开展在不同衬底上制备碳化硅纳米线的生长过程的研究，对所制备的材料的场发射特性进行了测试。