ZnO在常温时的禁带宽度是3.37eV，激子束缚能是60meV，是重要的Ⅱ-Ⅵ族直接带隙宽禁带半导体材料，其原料丰富、价格低廉，并拥有绿色环保、性能稳定及抗辐射能力强等优点使它在光电子器件、微电子器件、太阳能电池及激光器等领域有重要的应用。本论文主要研究了在FTO透明导电玻璃上对ZnO纳米阵列的可控制备，利用的是两步法制备ZnO纳米阵列，即首先在FTO透明导电玻璃上利用溶胶-凝胶法制备ZnO籽晶层，然后再用水热法在籽晶层上制备ZnO纳米阵列。溶胶-凝胶法对实验仪器的要求不高，水热法是在溶液中进行化学反应的方法，与其他方法相比，水热法制备流程简单、成本低廉，能够在大面积的基底上实现ZnO纳米阵列的均匀化生长。　　在制备ZnO的过程中，采用乙酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]作为锌源，然后在冰醋酸及乙醇胺的共同作用下，溶于乙二醇甲醚此溶剂中，并于室温环境中冷却生成凝胶;之后再利用旋涂的方法把溶胶均匀涂覆于FTO透明导电玻璃上，通过热处理方法制备ZnO薄膜。在制备ZnO纳米阵列中，采用乙酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]和六次甲基四胺(C6H12N4)在热介质中溶解;溶解后的锌盐乙酸锌[Zn(CH3COO)2·2H2O]与碱液以离子、分子的形式存在于溶液中，最后冷却形成饱和溶液，随后再形成晶粒，最后结晶生成ZnO纳米阵列。　　利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及紫外-可见分光光度计(UVS)等表征方法，对ZnO纳米阵列的晶体结构、光学特性及其表面形貌进行了研究分析，探讨了不同的籽晶层层数、不同的锌源(Zn2+)浓度、不同的制备时间及不同锌碱比(Zn2+/OH-)等对ZnO纳米阵列的影响，对ZnO纳米阵列最佳制备工艺的采取了深入研究，实现ZnO纳米阵列的可控制备，从而获得高质量的ZnO纳米阵列。通过实验得出ZnO纳米阵列的最佳制备条件:配制的前驱体溶液的锌源用乙酸锌，锌离子(Zn2+)浓度为0.15mol/L，锌碱比(Zn2+/OH-)为5∶1，水浴反应时间为1.5小时，水浴温度为90℃，其可见光区的透过率能达75％。