【摘 要】
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SiGe BiCMOS技术具有高性能、低成本的特点,发展前景好,因此对SiGe BiCMOS技术进行研究具有非常实际的意义。应变硅材料中应力和应变的分布对提升器件性能具有理论指导意义。
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SiGe BiCMOS技术具有高性能、低成本的特点,发展前景好,因此对SiGe BiCMOS技术进行研究具有非常实际的意义。应变硅材料中应力和应变的分布对提升器件性能具有理论指导意义。本文首先对双轴应变材料特性进行了分析,特别是对迁移率、临界厚度、能带分裂的研究,为提出SiGe BiCMOS模型奠定了理论基础。在均匀弯曲的假设基础上,本文提出了计算SiGe/Si异质结中应力和应变分布的理论模型,并在厚衬底条件下,进行了化简。该模型对设计和优化器件性能具有指导意义。最后,提出了一种新型的SiGe BiCMOS模型,并运用MEDICI软件进行了二维仿真分析,优化了其各项参数,得到了满意的电学特性。本文提出的计算应力模型对研究应变材料和器件具有实际应用价值。提出的新型SiGe BiCMOS模型,性能优良,具有广阔的运用前景。
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