论文部分内容阅读
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLED)技术被认为是下一代的照明和显示技术。学术界对其有多年的研究与讨论,并且已经取得很多重要的成果。现在,OLED逐渐进入照明行业、手机和电视行业、以及军事和医疗领域。本论文基于与法国标致雪铁龙汽车集团、法国巴黎第十一大学的合作项目,即制作微米阵列红光侧发光有机发光二极管器件用于汽车内部。可认为是OLED技术在照明以及显示领域之外的一次特殊应用实践。本论文利用化学合成的方法合成了名为NPAMLI以及Zn(PPI)2的材料。利用掺杂的方法制作最大发光波长为633 nm、具有稳定发光光谱的有机发光二极管器件。NPAMLI被用于制作荧光OLED器件时,器件的最大发光亮度在4000 cd/m2左右,且发光光谱会随掺杂浓度以及驱动电压的变化发生移动而不能满足要求。基于Zn(PPI)2:Ir(MDQ)2acac的磷光OLED器件能够获得最大发光亮度大于20000 cd/m2,最大发光波长约630 nm左右的电致发光光谱,但是其随驱动电压的增加而发生移动。基于Zn(PPI)2:Ir(piq)3的磷光OLED器件能够获得最大发光亮度大于20000 cd/m2,最大发光波长约636 nm左右的电致发光光谱。在5%-10%的掺杂浓度内,其最大发光波长不发生变化,且发光光谱随驱动电压的增加几乎不发生移动。基于此,制作了整体厚度约为400 nm的OLED器件用于匹配特殊的光波导结构。采用光刻工艺以及Bosch刻蚀工艺,制作了呈梯形状的硅基掩膜板。该掩膜板在与基板间隔180 nm时,材料在蒸镀后在横向上只发生微小扩散。利用光刻、刻蚀、电子束蒸发以及剥离工艺在SOI基片上制作了在横向尺寸上为50 um、纵向精度为30 nm左右的图案化金电极。金电极表面的均方根粗糙度小3 nm,能用于制作高效率的OLED器件。