硅材料是当今最主要的微电子和光伏材料,硅太阳能电池更是应用卫星和太空装置最重要的持续,洁净的动力供应源。因此,通过研究硅材料抗辐射能力来提高辐射环境下器件性能是具有实际意义的。噪声与材料和电子器件的缺陷密切相关,且表征参量丰富,可以为硅材料和硅基器件抗辐射能力研究提供一套灵敏,无损,通用,完备,可靠性高的评价技术。本文根据现有硅材料工艺和应用,研究硅材料抗辐射性能噪声评价技术,主要工作有:设计硅材料测试结构并外购通用硅单结晶体管和硅光电池器件,有目的的设计合理的60Coγ射线辐照实验方案,进行辐照实验。测试并对比分析样品辐照前后的电学和噪声测试数据,使结果更具有实际指导意义。本文在研究硅材料和硅光电池性能退化的辐射损伤机制及噪声检测理论基础上,结合实验结果优选出可全面评价硅材料和硅光电池抗辐射性能的噪声参量。同时,深入研究硅材料和硅光电池抗辐射能力噪声评价理论,提出硅材料和硅光电池抗辐射能力噪声无损评价技术,包括参数提取,评价标准和流程。应用硅材料和硅光电池噪声评价技术,得出一套简单硅基器件抗辐射能力筛选方案。