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本文采用射频溅射法，在单晶硅衬底上沉积氮化硼薄膜，通过对工艺参数的不断改进，制备出了含量高于90％的立方相氮化硼簿膜；在国际上首次探索了溅射气体中加入硫蒸气沉积n型掺杂氮化硼薄膜的方法，使氮化硼薄膜的电阻率下降了4个数量级，在103-105Ωcm之间。 文中给出了立方相氮化硼的FTIR谱和AFM图，首次测量了用溅射法制备掺杂氮化硼薄膜的电流电压曲线、电容电压曲线、FTIR谱图和表面俄歇能谱图。根据估算得到掺杂氮化硼薄膜的掺杂浓度为3×1016cm-3；发现p-Si/n-BN异质结反向击穿电压为15伏；并通过模拟所测样品的电流电压曲线对掺杂氮化硼薄膜的能带结构做了预测；样品的俄歇能谱表明，样品表面碳、氧的含量很高，硼氧硫的原子浓度比为10:4.4:1。