基于SiC MOSFET的移相全桥ZVS变换器研究

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随着电力电子技术的发展,开关电源装置在航空航天、通信电源、新能源等各个领域应用越来越广泛,但也对电力电子装置的效率、功率密度、耐高温等工作能力要求越来越高。通过软开关技术,可以使开关电源的开关管工作在零电压状态下开通(ZVS)或者在零电流状态下关断(ZCS),进而显著减小开通关关断过程中的损耗,进一步提高装置的效率,减少系统散热装置,提高系统功率密度并减少系统电磁干扰。而在已知的软开关电路中,移相全桥变换器拓扑简单、易于控制,不增加开关管电压应力,在中大功率领域中被广泛应用。在低压大电流的系统中,为进一步减小功率损耗,变压器副边一般采用多个MOSFET并联的同步整流来代替二极管不控整流。目前基于硅(Silicon,Si)半导体材料的功率器件其性能接近材料理论极限,难以通过技术革新和工艺改进在通态电阻、寄生参数、开关频率、耐压特性、耐高温特性上有长足的提高,因此性能更加优越的SiC材料的功率器件取得了较大的进展并已形成商用产品,应用新材料功率器件的研究方兴未艾。本文以应用SiC MOSFET作为开关管的前级移相全桥ZVS,后级全波同步整流变换器为研究对象,并针对该结构的固有问题进行分析,详细阐述了其软开关的实现过程以及存在的问题,深入研究了这些关键问题的产生原因,最终通过比较不同的解决方案提出合适的解决方法。,进行了主要元器件的参数设计。本文在研究Buck变换器小信号模型的基础之上,深入分析移相全桥ZVS变换器的系统模型,最后根据系统的动态响应要求采用Bode图法设计电压电流双闭环控制器,采用Saber搭建选用的SiC MOSFET半桥模块的仿真模型,并基于DSP TMS320F28335设计了数字控制系统,编写初始化、采样、闭环控制、PWM脉冲生成和保护的MATLAB/SIMULINK的s-Funtion程序,通过Saber搭建主电路仿真模型,MATLAB/SIMULINK搭建控制电路仿真模型,使二者协同仿真。通过对稳态精度和动态响应进行仿真,其响应速度和稳态精度均符合设计要求。为进一步的实验打下基础。
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