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AlMgB薄膜作为新型超硬薄膜中的一员,在工业领域应用前景广阔。本论文采用高真空三靶磁控溅射系统制备了AlMgB薄膜。探究了B靶功率、偏压-占空比复合参数以及偏压频率对AlMgB薄膜的影响,以实现薄膜制备工艺的优化。本论文探究内容分为以下几个部分:(1)在不同B靶功率条件下制备AlMgB薄膜。实验表明:AlMgB薄膜为非晶状态。增大B靶功率,薄膜的沉积速率逐渐增大,最大达6.4nm/min;AlMgB膜的均方根表面粗糙度随B靶功率呈现先减小后增大趋势,当B靶功率为400W时,均方根粗糙度最小是0.3