【摘 要】
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该文研究了Au/In合金体系等温凝固芯片粘结方法在氧化铝陶瓷为衬底材料、硅材料为芯片的芯片粘结工艺中的应用.经过对焊接工艺参数的优化和微观结构的分析,得到如下一些主要
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
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中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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该文研究了Au/In合金体系等温凝固芯片粘结方法在氧化铝陶瓷为衬底材料、硅材料为芯片的芯片粘结工艺中的应用.经过对焊接工艺参数的优化和微观结构的分析,得到如下一些主要结论:1、通过引入机械振动,成功实现了硅芯生在陶瓷衬底上的Au/In等温凝固芯片焊接,不仅可以满足军标MILSTD883D对芯片粘结在剪切强度上的要求,而且焊层可以抵抗1750周次-55℃~+125℃之间的热冲击,也就是说等温凝固芯片粘结具有较好的可靠性.2、芯片的焊层在经过1750周次的上述温度条件下的热冲击试验后,虽然芯片的剪切强度有所下降,但焊接有效面积没有变化,微观结构也没胡明显变化.3、在275℃下粘结的芯具有较好的高温稳定性,可以承受400℃下的瞬时高温.4、在250℃、275℃和300℃的温度下粘结的芯片分别在在250℃和300℃下保温500小时后,芯片的剪切强度增大了,而焊层中的缺陷也明显增加了,即长时间的高温会使芯片焊层的微观结构恶化.
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