柔性电子产品在无线传感器、可弯曲移动电话和可穿戴电子设备等应用领域潜力巨大。作为此类设备中最重要的部件之一,非易失性存储器（Nonvolatile Memory,NVM）因其即使在供电电源关闭后仍能保持存储的信息而受到广泛关注。目前,阻变存储器（Resistive Random Access Memory,RRAM）具有结构简单（金属（metal）/介质层（insulater）/金属（metal）,即MIM三明治结构）、单元尺寸小、功耗低及与互补金属氧化物半导体的工艺兼容性等优点,被认为是下一代NVM器件的最佳候选者。位于上下金属电极之间的介质层是发生阻变、存储信息的功能层,是影响RRAM器件性能的关键因素。在众多的介质层材料中,氧化石墨烯（GO）具有良好的柔韧性、光学和介电性能,可用于柔性透明可穿戴RRAM器件而备受关注。近年来,钙钛矿材料因其优异的光电性能以及内部存在离子迁移等现象被广泛应用于光电器件。本文将稳定性良好的全无机钙钛矿CsPbBr3量子点（CsPbBr3QDs）掺入到GO中,对比研究了器件的阻变性能以及其阻变机理。主要结论如下:（1）采用旋涂法在PET-ITO基底上制备了以GO为介质层、Ag为上电极的Ag/GO/ITO器件。通过X射线衍射仪（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）等测试方法,对GO的组成、结构和形貌等进行了表征分析。结果表明,在PET-ITO基底制备的GO薄膜结晶良好,表面粗糙度较小,且在可见光390 nm～780 nm范围内有良好的光学透过率,为制备透明RRAM提供了基础。阻变性能测试结果显示,Ag/GO/ITO器件呈现出稳定的双极阻变特性,疲劳性能和优异保持性能。结合电流-电压（I-V）拟合分析,推断Ag/GO/ITO器件的阻变行为来源于Ag导电细丝的形成和断裂。（2）在两步法制备荧光性能优异的CsPbBr3QDs的基础上,采用旋涂法在PET-ITO基底上制备了以CsPbBr3 QDs为介质层、Ag为上电极的Ag/CsPbBr3QDs/ITO器件。通过XRD,XPS,透射电子显微镜（TEM）,AFM等测试方法,对CsPbBr3 QDs的组成、结构和形貌等进行了表征分析。结果表明,制备的CsPbBr3 QDs薄膜结晶良好,表面粗糙度较小,CsPbBr3 QDs晶粒尺寸分布在7-25 nm。亮暗态条件下,Ag/CsPbBr3 QDs/ITO器件均呈现出典型的双极阻变特性,器件具有优异的疲劳、保持特性。光触发条件下,相较于暗态而言,器件的开关比（ON/OFF）增大,开关电压(VSET,VRESET)减小。进一步结合I-V拟合分析,推断Ag/CsPbBr3 QDs/ITO器件的阻变来源于Ag和Br空位协同作用,两者共同参与并控制导电细丝的形成和湮没。（3）采用旋涂法在PET-ITO基底上制备了以CsPbBr3 QDs:GO为介质层、Ag为上电极的Ag/CsPbBr3 QDs:GO/ITO器件。通过XRD,TEM,SEM,EDS,AFM等手段,对CsPbBr3 QDs:GO复合膜的的组成、结构和形貌等进行了表征分析。结果表明,CsPbBr3 QDs成功掺入到GO薄膜中,且均匀的分布在GO中,所制备的CsPbBr3 QDs:GO复合薄膜的表面粗糙度较小,薄膜表面较为平整。亮暗态条件下,Ag/CsPbBr3 QDs:GO/ITO器件均呈现典型的双极阻变特性,具有优异的疲劳、保持特性以及机械柔韧性。相较于暗态,在光触发条件下器件的VSET和VRESER显著降低(VSET≈1.68 V和VRESET≈-1.08 V,分别降低26.3%和47.1%),且滞后窗口显著增加,开关比达到了1.4×10~7,约为暗态的1077倍。器件在10000次弯曲后,阻变特性没有明显下降。通过紫外光电子能谱（UPS）,XPS和飞行时间二次离子质谱仪（To F-SIMS）系统地研究了Ag/CsPbBr3 QDs:GO/ITO器件的阻变机制。结果表明,界面上的肖特基势垒,Ag导电细丝和氧空位以及Br空位导电细丝的形成和湮没对器件的阻变具有协同作用。