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目前储能电介质研究的重点是制备高介电、高击穿的电介质材料以满足脉冲功率系统的轻便化和小型化的要求。本文以Ba0.3Sr0.7Ti03陶瓷为研究对象,通过添加ZBS玻璃来提高陶瓷的击穿强度,研究不同种类玻璃对陶瓷耐压的影响,以获得最佳玻璃组份,并通过结构设计,制备了玻璃与陶瓷的叠层薄膜,以进一步提高体系的储能密度。主要工作如下：(1)通过对ZBS1玻璃组份调整成功制备出稳定的未析晶的ZBS2玻璃,并采用传统固相法制备了ZBS2玻璃添加的SrTiO3和Ba0.3Sr0.7TiO3的陶瓷样品。通过对两者的介电性能的研究发现：加入ZBS2玻璃后,ST和BST陶瓷的击穿强度有很大提高,分别为18.3kV/mm和18.1kV/mm。然而,由于加入介电常数低的ZBS2玻璃后使得ST陶瓷与BST陶瓷具有更大的介电悬殊,前者由377下降到242,后者由650下降到500,最终结果是添加ZBS2玻璃的BST陶瓷具有更高的储能密度。所以,在添加玻璃后,BST相对ST更适合作为储能介质的陶瓷基体。(2)通过组份调整,采用固相法成功地制备了性质稳定的ZBS系列玻璃,并将玻璃加入BST陶瓷。实验表明：玻璃的添加在很大程度上提高了陶瓷的击穿强度,但是,ZBS3玻璃相对其他玻璃提高的幅度最大,且在添加量为6%时,具有最高击穿强度,26.7kV/mm。而且添加ZBS3玻璃的介电常数下降最小,加入2wt%的ZBS3后下降为631,加入8wt%后仅下降到393；介电损耗基本没有太大变化。计算得到添加ZBS3玻璃的BST陶瓷样品获得的最大储能密度为1.5J/cm3。(3)采用溶胶-凝胶法制备玻璃与陶瓷的叠层薄膜,制备工艺为：两级匀胶时间和转速分别在10s和600rpm以及30s和3000rpm；通过差热测试确定了烤胶温度分别在200℃及400℃两个温度段,退火温度在600℃,升温速率均为1℃/min。采用XRD、SEM、AFM等手段进行表征,发现在此条件下制备的薄膜具有平整均匀、致密的微观结构,且陶瓷析晶良好,玻璃保持非晶态。电性能测试结果为：介电常数随频率的增加而减小很多,介电损耗较大,而且陶瓷与玻璃叠层薄膜的损耗相对单组份薄膜的更大。