金属-半导体-金属(Metal-Semi conductor-Metal)光电探测器作为激光雷达成像系统核心器件,具有以下优点：制作工艺简单,便于大规模集成制作面阵探测器。器件本证电容值较小。响应时间在PS量级,噪声小本文先从MSM-PD光电特性入手,以能带理论为主要理论依据,探讨了该器件的结构特点和基本的光学、电学特性。结合现有的实验手段,主要在以下几个方面开展工作1.以MSM光探测器能带理论为主要理论依据解释了InGaAs MSM光探测器的基本工作原理；2.采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在InP衬底上生长高质量的铟镓砷(InGaAs)外延层；3.根据雷达成像探测器的要求和现有的实验条件,经过光刻、金属蒸镀剥离、SiN淀积、离子刻蚀、金丝键合和切片封装等工艺流程完成响应波长在1550nm的雷达成像探测芯片；4.完成了器件一些参数的测试,其中包含I-V特性、频率特性、光电混频、成像等。