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硫化物半导体材料是一种非常重要的无机半导体材料,有着非常独特的光学和电学性能,被广泛应用于光催化、光电二极管、光导探测器、太阳能电池、太阳能选择性涂料以及传感器等方面,是近年来的研究热点之一。本文以Cu2ZnSnS4(CZTS), ZnIn2S4 (ZIS), SnS三种硫化物半导体材料为研究对象,旨在采用溶剂热法,水热法,电化学沉积法制备出具有特殊形貌结构的薄膜,并研究其形成机理及潜在应用。本文研究内容总结如下:1.采用溶剂热法,以PEG-400为溶剂及结构导向剂,FTO导电玻璃为基底,在反应温度