随着电力电子技术的飞速发展以及应用要求的不断提升,功率器件得到了高速的发展。IGBT作为第三代电力电子器件因其良好的综合性能在新能源发电、轨道交通、智能电网、电动汽车、国防工业等领域有着举足轻重的地位。但随着电力电子技术的发展,对电力电子器件的温度、频率等性能提出了更高的要求,以碳化硅(SiC)等材料为代表的电力电子器件走进了人们的视野。近年来,随着商业化SiC器件不断推出,关于SiC器件的研究也成为了热点话题。IGBT与SiC MOSFET作为当下应用最广泛与研究最热门的两种电力电子器件,其门级驱动与保护技术的研究对于二者的应用均具有重要的意义。本文详细分析了 IGBT与SiCMOSFET的基本结构、工作原理、开关过程。首先,通过详细对比IGBT模块(FF300R12KT4)和SiC MOSFET模块(CAS300M12BM2)的参数特性,指出了 IGBT与SiCMOSFET在驱动保护电路设计上的区别。其次,根据二者的区别分别设计针对IGBT与SiCMOSFET的驱动保护电路。在上述研究的基础上,搭建了双脉冲测试平台,对IGBT和SiCMOSFET的驱动电路和保护电路进行测试,验证了本文所设计的驱动保护电路的可靠性与先进性。最后以双脉冲实验为基础,通过对比实验详细阐述RG、CG、LG、LE/LS对IGBT和SiC MOSFET开关过程影响,结果表明RG、CG对SiC MOSFET影响更大,会引起波形强烈振荡;LG对IGBT和SiC MOSFET的开通过程影响不同;LS对IGBT和SiCMOSFET的关断过程影响不同。证明了IGBT与SiCMOSFET驱动保护电路需要分别设计,不能直接移植。同时,为两种驱动保护电路回路参数的设置提供了依据。