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Sb2S3作为Ⅴ-Ⅵ族重要的半导体材料,具有独特的光电特性,在热电制冷及光电器件等领域有着潜在的应用价值。化学浴沉积法工艺简单、经济且易大规模生产薄膜,已广泛用于硫化物薄膜的制备,但化学法沉积的Sb2S3薄膜电导率低且极薄,影响了薄膜的光电性能及应用。本论文采用化学浴法制备掺杂Sb2S3薄膜,探索掺杂对其结构及光电性能的影响;同时,为拓展Sb2S3薄膜的光电应用,首次研究了FTO|Sb2S3|Ag忆阻器的忆阻性能,并分析其阻变机理。本论文采用化学浴沉积法,通过优化溶液pH、温度等条件,分别在两种硫源体系(TS、TA)下制备出辉锑矿相Sb2S3薄膜。沉积液pH=1.9时,Sb2S3的Zeta电位为零,即达到等电点,在酸性条件(pH≤3.5)下沉淀薄膜,可提高薄膜与衬底间的附着力。TS体系下制备的Sb2S3薄膜结晶度良好、表面平整且致密。TA体系下制备的Sb2S3薄膜在(210)、(311)和(410)晶面出现了新的峰值,且半峰宽变窄,具有更好的结晶度,但表面均匀性有待提高。采用TS体系,在低温水浴中沉积掺杂Sb2S3薄膜,Na2S2O3浓度影响薄膜生长过程,在3 mol/L条件下薄膜结晶度最好。最佳实验条件下制备的Cd、Zn掺杂Sb2S3薄膜经退火,得到辉锑矿相Sb2S3,说明掺杂没有改变薄膜的晶体结构,但Zn掺杂在(002)晶面出现了择优生长现象。掺杂后薄膜厚度仍约为200nm,表面出现空隙或颗粒凸起。在光电性能测试中,Cd掺杂后,薄膜禁带宽度几乎不改变,而Zn掺杂缩小了薄膜的禁带宽度。掺杂前后Sb2S3薄膜的导电类型不变,均为n型半导体,但掺杂均提高了薄膜的载流子浓度,特别是Zn掺杂。同时,CdS/Sb2S3/Ag异质结I-V曲线测试中,掺杂提高了异质结的整流特性,Cd掺杂薄膜表现了较好的整流曲线。以无定型Sb2S3薄膜制备的FTO|Sb2S3|Ag器件具有良好的忆阻特性,表现为双极型。随着薄膜厚度的增加,电流阶跃性的跳变越来越明显,最大幅度达到5-6倍。FTO|Sb2S3(180nm)|Ag具有较好的稳定性,50个周期循环扫描仍可保持I-V曲线的基本形状,且高、低阻态电流可保持10000s不变。退火后,Sb2S3薄膜由非晶态转为晶体,忆阻特性消失,I-V曲线表现为纯电阻。Sb2S3忆阻性能受电极的影响很大,若蒸镀活泼电极则表现出良好忆阻性,若换做惰性电极,则忆阻性能消失,呈现整流特性。由此推论,Sb2S3忆阻器的导电机理为金属导电细丝机理。