原位合成技术是一种新型的材料制备技术，本文探索了原位合成技术在AlN材料制备中的应用，利用Al-Mg-Y合金氮化反应成功制备了AlN/SiC陶瓷复合材料和AlN晶须。 提出了一种原位合成制备AlN材料的Al合金系的选择标准，为拓宽合金系的选择范围提供了依据。针对Al-Mg-Y合金的氮化反应，系统分析了其热力学条件和动力学过程，研究了合金成分与工艺条件对反应和产物的影响。研究结果表明：反应过程中Mg、Y元素的脱氧作用保证了AlN的反应合成；Mg的沸腾可以激化反应；而Y元素含量的增加和反应温度的升高能够加速并促进反应，提高氮化反应的氮化率λ、以及氮化产物的致密度；并利用微观通道传质模型解释了Y元素在微观与宏观两个尺度范围内存在的富集现象。 分析了AlN/SiC陶瓷复合材料的原位复合过程和复合界面情况，并研究了复合产物的形貌特征以及工艺条件对产物的影响。研究结果表明：AlN/SiC材料的原位复合过程实际上是通过Al合金液在SiC相空隙间渗透扩散然后氮化生成AlN相实现的，而并非依靠AlN相的渗透生长特性；复合产物中AlN的晶体形态与Al合金直接氮化生成AlN的晶体形态存在明显差别，且受到反应温度的显著影响；此外，在原位复合AlN/SiC_P陶瓷复合材料的过程中，SiC-AlN混合陶瓷粉末的成分配比不仅可以调整产物中基体相与增强相之间的百分含量，而且能够显著影响原位复合的动力学过程。 研究了AlN晶须的原位合成制备，确定VLS机制是AlN晶须的主要生长机制，高温下VS机制更为明显。此外，提出了利用SiC纤维模板合成AlN晶须的制备方法，在该方法中VS机制成为晶须的主要生长机制。