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该报告研究工作的核心是力图解决纳米硅的发光效率问题,为最终实现硅基发光器件创造条件.首先分析制约纳米硅发光的不利因素.通常采用由富硅氧化物经高温退火的方法在SiO<,2>绝缘介质中形成纳米晶硅,形成纳米晶硅必须经过一个固相晶化过程,而采用固相晶化法获得的纳米晶硅往往存在很多缺陷.另一方面,形成纳米晶硅还是一个相分凝过程,事实上这种两相分凝过程只能进行到一定程度,其结果是纳米晶硅首先为一层SiO<,x>（x<1）包围,其钝化表面缺陷和量子限域的效果比之SiO<,2>明显不足,我们认为正是这两点限制了纳米硅发光效率.与其他研究者们的研究思路有所不同,我们更多的着眼于退火前SiO<,x>:H薄膜的质量,我们发现退火道薄膜微结构的“初始状态”才是决定最终纳米硅发光特性的关键因素.因此需要对高温退火前后薄膜的结构和光学特性及其必然联系进行系统深入研究.我们采用传统的等离子体化学气相沉积方法（PECVD）生长a-SiO<,x>:H薄膜,然后经高温退火形成纳米硅薄膜.采用micro-Raman,FTIR,XPS,X-ray衍射等结构分析手段,并结合发光谱的测量研究了退火前后薄膜样品的微结构及发光特性.从中发现,未退火的a-SiO<,x>：H薄膜结构是不均匀的,其中a-Si颗粒和SiO<,y>：H（O
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