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准一维纳米材料在基础科学研究和潜在的技术应用方面都非常重要,因此一维纳米材料是当前纳米材料科学领域的前沿和热点。准一维纳米材料可以用来建立纳米级的电子线路和光子存储器。探索和发展有效的合成这些准一维纳米材料的方法是准一维纳米材料科学研究的基础。本文在前人的工作基础上,依据准一维纳米材料的气—液—固(VLS)和气—固(VS)生长机制,合成出准一维纳米半导体材料(硫化物,氧化物纳米线和纳米同轴电缆),观察到了过去宏观体系中未见到的一些新现象,与此同时,还讨论了他们的生长机制,并对这些制备方法进行了规律性