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硫化物是一种重要的无机半导体材料,它不但具有优异的发光性质及非线性光学性质,纳米金属硫化物还具有显著的量子尺寸效应,在光电领域大多数硫化物都具有着太阳能电池活性层理想的禁带宽度以及很高的光吸收系数。然而,目前关于硫化物薄膜的制备方法都比较复杂,这会使得整个器件的制备流程变得繁琐起来,效率低下,相比之下溶液法旋涂薄膜的工艺便可以很好的解决这个问题。因此,本课题主要研究了硫化亚锡以及硫化锑两种硫化物半导体薄膜的溶液法制备及其光电性能研究。经过研究得到了两种比较优异的溶液法制备硫化亚锡薄膜:第一种是采用D