适用于无源RFID标签芯片的SPNVM优化设计与实现

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射频识别(Radio Frequency Identification,RFID)技术是一种无线非接触自动识别的技术,是无线通信与集成电路等多种学科相结合的一种新技术,利用射频信号自动识别标签实现数据的双向传输。目前,已经在物流管理、交通运输、医疗、身份识别等得到了广泛的应用,与其它相关技术相比,射频识别标签具有防水、抗干扰、耐高温、寿命长、可远距离读取、存储容量大、可重复使用、高安全性、高可靠性等优点。射频识别系统包括电子标签、阅读器、PC终端,电子标签是整个射频识别系统的核心部分,其性能的好坏和价格的高低直接决定了射频识别技术的命运。射频电子标签芯片又由模拟前端、数字逻辑控制电路和存储信息的非易失性存储器组成。对于无源标签芯片,模拟前端为整个芯片提供时序控制信号和芯片正常工作的电源,同时将芯片内部数据发送出去;数字逻辑控制电路根据模拟前端提供的控制信号产生多路逻辑控制信号使整个芯片正常有序地工作;对于可存储电子标签来说,非易失性存储器可以说是电子标签的核心,用于存储用户或产品的相关信息,整个射频识别系统的操作都是针对非易失性存储器进行的。本文基于嵌入式非易失性存储器EEPROM,经过对EEPROM的工作原理、结构和性能的详细分析,确定了适用于无源标签芯片非易失性存储器的性能指标和设计要点。采用UMC0.18μm标准CMOS工艺,从工作电压、效率、速度和功耗的角度出发,改进和优化了相应的电路模块,如存储阵列、高压产生电路、灵敏放大器等,设计了一个存储容量为256位高性能低成本的单栅非易失性存储器(Single-poly non-volatile memory, SPNVM),很好地满足了RFID系统对存储器的各项指标要求。
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