采用基于密度泛函理论的广义梯度近似方法,优化了Fe3C2团簇的几何构型,计算了电子结构和振动频率。我们还分析了稳定构型的结构与稳定性之间的关系、化学稳定性和磁性。本文另一个工作是致力于寻找并确定Ga3N3团簇的最稳定结构,并对稳定结构的主要性质进行了研究。我们沿用文献中构建FemCn团簇初始结构的方法,在稳定的Fe2C2团簇和Fe3C团簇的基础上构建了108种Fe3C2团簇的初始构型。为了确定合理有效的计算水平,我们计算了文献中提到的Fe2C2团簇和Fe3C团簇的16种稳定结构,并与文献的结果进行比较,证实了我们使用的计算参数的有效性。经过几何优化和振动频率分析,我们从108种初始构型中得到了20个稳定的异构体。对这20个稳定异构体我们进行了深入的讨论,包括它们的几何结构,化学稳定性及磁性。结果显示,最稳定的结构是非平面结构的Cs结构,结合能的值为482.978 kcal/mol,自旋多重度是9。在我们的结果中,对称性较高的D3h结构并不是最稳定的,另外我们也没有发现稳定的线性结构。Fe3C2团簇20个异构体的能隙范围明显不同,在化学反应中可以用作不同的用途。Fe3C2团簇的总磁矩主要集中在Fe原子上,C原子上的磁矩有些相对于Fe原子上的磁矩还是反向排列。当三个Fe原子中有一个Fe原子是反向排列,必然带来总磁矩的减小。另外我们发现对称性较高的D3h结构每个原子上的磁矩及总磁矩均为0。这些对我们今后继续研究FemCn团簇的生长提供了参考。GaN材料在微电子和光电子等方面有着重要的应用,因而从理论上研究这些团簇的结构和性质具有重要的意义。为了对Ga3N3团簇能有充分的理解,我们用密度泛函方法的广义梯度近似泛函(GGA)中的PW91、BLYP、RPBE三种泛函形式,对不同文献中已经报道的Ga3N3团簇23个初始结构进行了优化。其中有6个结构在三种泛函形式计算水平下都没有出现虚频,我们确定为稳定结构。对文献中不同研究者报道的三个不同基态结构,我们的计算结果表明它们并不是最稳定的。我们得出的Ga3N3团簇的基态结构是一个C2v对称性的平面结构。Ga3N3团簇的六个稳定构型的HOMO - LUMO能隙Egap有着明显的不同,范围在0.599~2.585eV。说明Ga3N3团簇化学稳定性各不相同,在化学反应中可以有着不同的用途。