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上个世纪末,对透明氧化物材料(transparent oxide semiconductor TFT,TOS-TFT)的研究逐渐成为国际上的研究热点,以非晶铟镓锌氧化物(amorphous Indium-Gallium-Zi nc,a-IGZO)半导体材料为沟道层的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管(amorphous Indium-Ga llium-Zinc TFT,a-IGZO-TFT)研制成功,让人们看到这种材料的巨大应用前景。与一般多晶硅材料TFT相比,这种器件材料具有透明度高、稳定性好、迁移率高(一般大于10cm2V-1s-1)、制备工艺温度低等优点,在透明电子学和柔性电子学等领域有重要的现实和潜在应用。有望引领未来显示技术的发展。溶液法具有操作简单、成本低、容易大规模量产等优点,本文利用溶液法制备IGZO薄膜。本文主要研究H2O2对溶液法制备IGZO薄膜性能的改善。基于溶液法和高压退火工艺,通过在前驱液中加入H2O2,在不同退火条件下制备IGZO薄膜。研究薄膜的表面微观结构及光学特性,主要的研究结果如下:(1)采用椭圆偏振光谱仪结合柯西模型与B-EMA模型(Bruggeman有效近似模型)对薄膜进行分析研究。实验结果发现,当退火温度从220℃增加到300℃,薄膜的表面粗糙层厚度由20.69nm减小到5.02nm,经原子力显微镜观察到的薄膜表面形貌也表现出了相同的变化趋势。500nm处薄膜折射率从1.64增加到1.91,光学带隙的变宽与光学吸收限的蓝移则说明薄膜内部的缺陷态密度降低了,薄膜变得更加平整致密。表明退火温度与薄膜的致密性密切相关。(2)通过在前驱液中加入一定量的H2O2,研究了H2O2对IGZO薄膜光学性能的影响。实验结果表明,在同样退火条件处理下,前驱液中含有H2O2的薄膜的折射率要高,原子力显微镜观察到的薄膜表面也更加平整光滑。H2O2加速了有机物残留在较低退火温度下的快速分解。证明适量的H2O2可以改善薄膜的性能,降低制备IGZO薄膜的工艺温度。(3)分析了不同含量H2O2对薄膜光学性能的影响。实验结果表明,当前驱液中H2O2的含量从0.1ml增加到0.25ml时,薄膜的表面粗糙层厚度由4.63nm逐渐降至2.89nm。当H2O2的含量继续增加时,薄膜的表面粗糙层厚度又逐渐升高,过量的氢氧根离子与生成的金属氧化物再次发生化学反应,造成薄膜表面缺陷增加。光学带隙的变化也验证了这一趋势。(4)研究结构模型对薄膜拟合参数影响。建立三相结构模型,通过与四相结构模型对比,薄膜的折射率整体偏低,表明表面粗糙层会对薄膜的整体性能有重要的影响。(5)分析不同压强处理下薄膜的光学性能,当压强从0MPa增加到2MPa时,薄膜表面粗糙层厚度从32.74nm减小到19.72nm。