随着通讯技术的不断进步,各种通讯系统的功能越来越强大,同时其电路也越来越复杂。日益发展的微电子技术使得越来越多的电路可以集成在一起,甚至整个系统都可以集成在一片芯片上,也就是所谓的SOC(片上系统)。这就要求电子元器件朝着微型化的方向发展,而且要尽可能的集成化。目前传统射频频率解决方案主要是微波陶瓷技术与声表面波技术。而这两种解决方案都不能与传统的集成电路工艺相兼容,只能以分立器件的形式存在,难以实现系统的微型化和集成化,因此不能满足通讯技术的发展要求。近年来随着FBAR技术的成熟,出现的FBAR器件因为其频率高(600MHZ-10GHZ)、体积小、换能效率高等特点,尤其是可以与传统的半导体工艺相兼容,满足系统集成化的发展趋势。本论文首先从压电薄膜理论出发,推导出理想FBAR阻抗解析模型和BVD等效电路模型,并通过对两个模型进行仿真对比,得出它们的一致性。FBAR谐振器是FBAR振荡器的核心部分,其谐振频率决定了振荡器的输出频率。本文利用BVD等效电路模型替代FBAR谐振器在电路中的使用,设计出基波输出频率为1.766GHz的并联反馈型振荡器。该振荡器在偏移量为10KHz时,相位噪声为-119.2dBc,偏移量为100KHz时,相位噪声为-140.6dBc。由于这种并联反馈型振荡器容易受到外部干扰,影响振荡器的性能,本文又设计了一种双推型FBAR压控振荡器,该振荡器可以同时输出基波频率和二次谐波频率,同时通过调节变容二极管的上的调制电压可以调整振荡器的输出频率。在2-8V的调制电压范围内,振荡器的可调带宽为100MHz。最后对振荡器的噪声进行了分析,给出了振荡器噪声模型。