本论文利用二次离子质谱（SIMS）、化学分析法（电感耦合等离子体（ICP）直读光谱仪）、扫描电镜能谱仪（SEM-EDX）三种方法对不同掺锗浓度的CZSiGe单晶中锗含量进行了测试，并对变速拉晶条件下锗的有效分凝系数进行了计算，得出锗的有效分凝系数（Ke）为0.62。根据测试结果画出了不同浓度锗的变化曲线。 利用FTIR法测得了不同锗浓度单晶中的氧碳含量，并对其谱图进行了研究，得出：在谱图的低波数端随锗浓度的提高(710cm^-1附近)出现了新的谱峰。650℃、850℃、1350℃分别退火后，测得谱图无明显变化，初步确定是由于新的键合Ge-C或Ge-C-Si的形成引起的。利用单晶X-ray衍射（SCXRD）对CZSiGe单晶的晶胞进行了测试，发现晶胞参数发生了明显的变化。利用原子力显微镜（AFM）对不同锗浓度的硅锗单晶的形貌进行了观察，得到了不同单晶的原子层形貌。论文中对硅锗单晶的光学禁带宽度进行了测试，得出了掺锗不同浓度下禁带宽度值。