在过去的几十年中，巨磁阻器件在信息存储领域中获得了很大的应用，随着社会的进步发展，信息量的不断增加，就需要不断扩大磁记录的信息量和磁记录密度，因而磁电阻读出磁头材料就要求具有高的电阻、高的磁电阻效应和低的总厚度。在纳米量级的磁性多层膜结构中能产生巨磁电阻效应（GMR），从理论上来说，它将使得计算机的硬盘的存储容量可以再提高近千倍，故展现出广泛的应用前景，引起了人们的关注。　　 本论文在充分考虑磁调节半导体纳米结构（MMNS）中电子自旋输运性质的研究现状和借鉴已有研究成果的基础上，着眼于已被实验上所制备的真实的结构，研究了该MMNS结构中的GMR效应。　　 全文共四章。第一章为绪论，简要地介绍巨磁阻效应。然后，介绍磁调节半导体纳米结构的巨磁阻效应的研究进展及研究方法。最后，简述处理纳米结构中电子输运著名的Landauer-Buttiker电导理论。　　 在第二章中，我们从理论上研究了一般的磁调制半导体纳米体系中的巨磁阻效应，其在实验上可以通过在半导体异质结的表面沉积2个平行的且材料质地相同的金属磁条带实现。在这里我们着重强调精准的外形尺寸和任意的磁化方向。研究表明，由于电子隧穿平行和反平行磁化构型时存在重大的传输差异，在这种纳米体系中可以达到相当大的巨磁阻效应。同时表明，铁磁条的磁化方向强烈地改变该纳米系统的磁电阻率，从而可能导致可调的巨磁阻器件。　　 第三章，我们在前面研究的基础上，给金属铁磁条加上直流电压，进一步研究了外加电压对该器件中的巨磁阻效应的影响。通过对实际GaAs材料系统的数值计算，我们证明磁阻比率强烈的依赖结构中铁磁条上的电压。从而，我们所考虑的纳米结构可以用于制造电压调节的巨磁阻器件。　　 最后，第四章简短地总结了全文的研究背景、意义、内容和特色。