【摘 要】
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伴随着无线通信,雷达和电子对抗的迅猛发展,近些年来,人们对各种固态功率源的需求越来越来迫切。其中,一个最主要的趋势就是对微波高功率放大器的需求。本文研究了X波段功率
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伴随着无线通信,雷达和电子对抗的迅猛发展,近些年来,人们对各种固态功率源的需求越来越来迫切。其中,一个最主要的趋势就是对微波高功率放大器的需求。本文研究了X波段功率放大模块的理论和设计方法。采用理论分析与微波电路软件仿真相结合的方法,设计出一款基于GaAs MESFET的X波段宽带微波功率放大模块,包括宽带功率分配合成器设计,直流偏置设计,驱动级的设计和功率放大级的设计。本文设计出的X波段宽带功率放大模块在8~12GHz频率范围内1dB压缩点输出功率约为33dBm,增益可达29dB,带内波动小于2dB,驻波比小于2。以GaN为代表的第三代半导体器件以其优良的微波功率性能获得了研究者的关注,本文利用已有的AlGaN/GaN HEMT器件,设计和制作了大功率输出的GaN型功率放大器,其中漏压24V下,单路放大器的输出功率就已达到8W。功率增益大于6dB。
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