以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料为代表的第三代信息功能材料是近年来半导体器件研究领域中的热点.Ⅲ族氮化物材料由于其特有的性能引起了相关研究人员很大的兴趣.发展新合成方法、拓展新体系、合成新结构、探索新性能及其应用是当今重要的前沿研究内容.Ⅲ族氮化物低维材料的合成是相关研究的基础,本论文采用了不同与以往通过气相法合成Ⅲ族氮化物材料的方法,从一个全新的角度研究和开发了Ⅲ族氮化物材料的新的制备路线:通过使用硬模板和软模板(表面活性剂)分别与低温溶剂热方法、溶胶-凝胶法以及微波辅助法相结合制备出具有新颖结构的Ⅲ族氮化物材料,对生成产物的结构和性能进行了XRD、SEM、TEM、BET等表征.首次以十二烷基硫酸钠(SDS)为软模板,通过低温溶剂热方法制备出了具有孔状结构的氮化铝材料;以碳球为硬模板,通过溶剂热方法制备出了具有陀螺状结构的氧氮化镓材料;以二甲基二氯硅烷和四氯化硅为硅源可分别得到层状和多孔状结构的氮化硅材料.讨论了反应原料、反应溶剂、反应温度、反应时间以及表面活性剂的种类和浓度对生成产物的影响,并对其机理进行了简单的分析.并且通过荧光光谱等的表征,对生成产物的光学性能进行了简要的解释.