CMOS带隙基准电压在模拟系统和数字信号处理系统中有着广泛的应用。本论文在介绍带隙基准基本原理和基础架构的基础上，详细介绍了两款CMOS带隙基准电压电路。 第一款是一种应用于PWM芯片的CMOS带隙基准电路。此基准采用了共源共栅电流镜结构，并且环路增益较大，因此具有很好的电源抑制性能。与其它基准电路不同的是，该电路增加了小电流充电电路，使输出基准具有斜坡启动的特性。以上两个特点使其更加适用于PWM系统。经仿真，正常工作电压3.3V下，当温度为—40～80℃时，输出电压的温度系数为7ppm/℃，常温时功耗为60μW，低频时电源抑制率PSR为82dB，基准电压斜坡启动时间为0.6ms。该电路已经应用于PWM芯片中并通过CSMC 0.6μm 2P2M工艺流片，功能基本实现。 第二款是一种CMOS亚阈型PTAT电压基准。此电路采用了衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法，使得该电路可以在低电源电压下工作，且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm 2P2M工艺仿真，电源电压为1.2V、温度为0～100℃时，输出电压的温度系数为0.912mV/K，电源电流为6.8μA；当电源电压在1.1～2.0V变化时，室温下的输出电压是461.4±0.4mV。