ZnO是一种宽带隙的半导体材料，室温下它的能隙宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，具备优异的紫外发光条件，这使得ZnO成为一种具有很大应用潜力的短波光电子材。同时，根据理论预测将过渡金属Cu、Mn和Ni等掺杂于ZnO，可以形成居里温度高于室温的稀磁特性，这使得ZnO有望成为一种稀磁半导体材料，在未来自旋电子学器件中具有重要应用。本论文采用脉冲激光沉积(PLD)方法制备Ni掺杂的ZnO薄膜，研究不同Nj含量对样品结构的影响、系统研究掺杂含量与样品的荧光特性以及磁性能间的关系。同时，制备了高Ni含量的ZnO薄膜，形成Ni的结构有序相，对其微结构和荧光特性进行了研究与分析。取得了如下主要结果： 1．在室温条件下采用脉冲激光沉积技术在Si(100)衬底上制备Ni掺杂ZnO薄膜，研究了掺杂Ni以后薄膜结构的变化。对不同Ni含量样品的荧光性能进行了研究，观察到360nm的新荧光峰，且不同Ni含量下，荧光峰位置不变，而相应的发光强度发生了变化。当靶材中Ni：ZnO的摩尔比为5％时，样品中360nm左右的荧光峰强度最强。其结果表明360nm的荧光峰可能起源于分裂的价带与导带间的复合跃迁，而Ni的加入对其跃迁几率产生明显影响。 2．采用PLD方法，在室温下制备不同含量Ni掺杂的ZnO薄膜，并在室温下采用VSM测试其磁性能，首次在Ni掺杂的ZnO薄膜中获得了室温下的铁磁性，当Ni分别为1at．％，3at．％，5at．％，7af．％时，对应的每个Ni原子饱和磁矩分别为0.3μB，0.2μB，0.2μB，0.21μB。样品中每个Ni原子的饱和磁化强度随Ni含量的增加反而逐渐减小。通过对其磁性产生的机制分析，