当今社会,由于煤油等不可再生资源的消耗,以及温室气体的影响,必须要有一种新型清洁能源来代替这些不可再生资源,用太阳光来驱动半导体的光催化制氢技术自然受到了广泛的关注。目前光催化制氢领域研究中,常用的半导体材料有数百种。但是其光生电子-空穴复合率都比较高,影响其光催化活性。利用助催化剂来修饰半导体,不仅可以有效提升电子-空穴分离速率,还可以作为反应活性位点,从而改善单一传统半导体的光催化效率。本文采用的助催化剂是CoP与CoP/Ni2P（Co-Ni-P）异质结,将助催化剂和二氧化钛（TiO2）以及硫化锌镉（CdZnS）进行复合,提高半导体的光催化活性:（1）以氢氧化钴（Co（OH）2）为前驱体,通过磷化和原位合成的方法制备0D/2D TiO2/CoP体系。采用多种技术和第一密度原理计算（DFT）对改进后的光催化性能进行了研究,认为CoP纳米片作为助催化剂可以增强光吸收能力,为水还原反应提供更多活性位点。此外,在2D CoP纳米片和0D TiO2纳米粒子之间形成欧姆结,同时TiO2导带向下弯曲以减小界面势垒,这更有利于将电子从0D TiO2转移到2D CoP纳米片中,从而快速分离光生载流子。（2）以氢氧化钴（Co（OH）2）为前驱体,通过磷化和物理搅拌的方法制备0D/1D CdZnS/CoP体系。制备了三种不同形貌的CoP并与CdZnS复合,经过测试,发现CoP棒对CdZnS提升的性能最好,在引入CoP助催化剂后,光生电子转移速率提高,从而有效分离光激发的空穴-电子对,增强光催化效率。（3）以氢氧化钴镍（钴镍水滑石,Co Ni LDH）为前驱体,通过磷化和物理搅拌的方法得到0D/3D CdZnS/Co-Ni-P体系。以球形结构的CoP/Ni2P助催化剂为载体,可以有效减少CdZnS的团聚,提供更多的反应活性位点,并加速电子的还原效率。CdZnS/Co-Ni-P复合催化剂具有更强的光吸收强度,乳酸消耗了CdZnS价带中的大部分空穴,Co-Ni-P捕获电子使电子迅速转移到Co-Ni-P,促进电子和空穴在空间上分开,从而提高光催化效率。