【摘 要】
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用多晶硅薄膜实现AMLCD及其外围电路的集成一体化,即玻璃基系统(SOG),是多晶硅薄膜晶体管和AMLCD的十分重要的发展趋势.该文从工艺上和理论上对此开展了深入的研究.在实验上,
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用多晶硅薄膜实现AMLCD及其外围电路的集成一体化,即玻璃基系统(SOG),是多晶硅薄膜晶体管和AMLCD的十分重要的发展趋势.该文从工艺上和理论上对此开展了深入的研究.在实验上,该文首次提出并采用准分子激光诱导两步晶化方法,实现了对a-Si薄膜的激光晶化,获得了大晶粒尺寸的多晶硅薄膜及多晶硅TFT器件.与常规激光晶化相比晶业尺寸扩大3-6倍,场效应迁移率扩大2-3倍,阈值电压和关态时漏电流相应降低,开态电流显著提高.在理论上,通过求解热传导方程获得了激光晶化时非晶硅薄膜中的温场分布,并求出其热穿透深度;通过分析二次晶料生长的微观过程,导出二次晶粒生长速率的解析表达式,从理论上解释了两次激光晶化扩大晶粒尺寸的物理原因.该文根据理论研究结果,提出了高效率的氢等离子钝化新工艺.提出了多晶硅薄膜表面NO(或N<,2>O、NH<,3>)等离子表面钝化和栅介质表面氮化新技术.
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