多晶硅中的晶界，特别是受到金属元素污染后，会大幅度降低多晶硅的性能，所以应尽可能增大铸锭中晶粒的尺寸。本论文运用数值模拟软件研究了坩埚内流场的大小和分布，结合模拟的结果采用保温法和籽晶法来制备大晶粒的多晶硅铸锭。分析了晶体长大的机理，对其性能进行了测试并分析了晶粒大小对其电学性能的影响。模拟结果表明，随着电流大小和频率的增加，坩埚内的流速大小不断变大，当频率达到50kHz后，再增大其频率，对其流速的变化较小。硅熔体在熔池内呈交错回旋循环流动，熔池的上下层呈现两套环流。在熔体的底部也就是固液界面处，其流速普遍较慢，但是也存在一个较小的强流区。该区域的流速大小会对晶体的长大造成较大的影响。控制保温时间，制备出大晶粒的多晶硅铸锭。对铸锭进行分析，发现随着保温时间的延长，晶粒逐渐增大，当保温时间为35min时，铸锭的平均晶粒可以达到5mm。使用扫描电镜对试样进行观察，发现在保温5min的试样中存在大量尺寸为2μm左右的白色小颗粒，由能谱分析可知其主要含有Si和Fe元素。随着保温时间增加，白色小颗粒的数量明显减少，到达35min时，几乎不存在这种颗粒。可能随着保温时间的增加，导致硅原料中的高熔点杂质熔化，减少了非均匀形核的质点，有利于晶粒的长大。最后采用在底部加载籽晶的方法来制备大晶粒多晶硅铸锭。由于底部采用石墨来启熔，籽晶容易被熔化，需要在底托和籽晶之间采取隔热措施。对铸锭的电学性能进行测试，发现晶粒大小对其有较大影响，晶粒越大，电阻率也越大，少数载流子的寿命也越高。