SiC材料由于具有大的禁带宽度、高的临界击穿电场、高的电子饱和速度以及高的热导率等性能，在高温、高功率、抗辐照等工作条件下具有明显的优势，成为近几年半导体领域研究的热点，并在能源、交通、通信和国防领域具有广阔和特殊的应用前景。但目前，碳化硅MESFET的优势还没有充分发挥。主要原因之一是界面态引起的电流不稳定性，另外，来自衬底陷阱效应也对器件的功率及频率特性造成负面影响。 最近，随着工艺水平的提高，表面态和衬底陷阱效应这一问题有望通过改进器件结构加以解决。本论文研究的埋栅一埋沟4H-SiC MESFET新型器件结构是利用工艺手段将栅极底部埋入导电沟道内部中，并在其导电沟道上部加入一层缓冲层。它可以减小本来存在于MESEFT器件沟道内部由表面陷阱所引起的耗尽层而带来的影响。 利用ISE软件建立了埋栅一埋沟4H-SiC MESFET模型，并对其电学特性进行了模拟仿真。其模拟结果表明：埋栅-埋沟4H-SiC MESFET器件结构的最大饱和漏电流密度达410μA/μm、源一漏击穿电压132V、最大输出功率密度6.1W/mm。与传统器件结构相比它还具有瞬态特性好、工艺相对简单等诸多优越性。采用埋栅一埋沟4H-SiC MESFET器件结构，显著地减小器件表面和衬底的界面态影响，改善器件直流和射频功率稳定性，从而提高器件的功率和频率特性。