【摘 要】
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铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)是最有应用前景的氧化物晶体管之一。铟镓锌氧化物(IGZO)靶材作为制作IGZO TFT所需要的溅射靶材,其性能直接影响着IGZO TFT的品质。目前IGZO靶材的制备方法可以根据不同的粉末原材料分为两种,一种是以IGZO粉末为原料,另一种是以氧化铟(In2O3)、氧化镓(Ga2O3)、氧化锌(ZnO)混合粉末为原料。本论文通过沉淀法制备了ZnO和IGZO粉
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铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT)是最有应用前景的氧化物晶体管之一。铟镓锌氧化物(IGZO)靶材作为制作IGZO TFT所需要的溅射靶材,其性能直接影响着IGZO TFT的品质。目前IGZO靶材的制备方法可以根据不同的粉末原材料分为两种,一种是以IGZO粉末为原料,另一种是以氧化铟(In2O3)、氧化镓(Ga2O3)、氧化锌(ZnO)混合粉末为原料。本论文通过沉淀法制备了ZnO和IGZO粉末,研究内容主要分为两个部分:首先研究了不同形貌Zn O的制备及部分复杂形貌的生长机理;然后通过不同沉淀
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