新一代的氮化铝（AlN）陶瓷基板,导热系数高达230W（m.k）,介电损耗0.0002,相对介电常数8.7,电阻率>10¹⁴Ω.m,热膨胀率4.0-6.0,3点抗弯强度450MPa,成本为氧化铝（Al₂O₃）陶瓷的1/4,为氧化铍（Be O）陶瓷的1/5,性能参数已可完美替代Al₂O₃陶瓷基板和Be O陶瓷基板,可同时满足高频通讯和大功率器件散热要求。因此,AlN基板表面金属化电路制作成为混合集成电路（HIC）设计应用的重要研究内容。微带电路由微带线和电子元件组成,而主要的电路基板为Al₂O₃陶瓷和Be O陶瓷。由于Be O陶瓷加工时的毒性,对人体和环境的严重危害,Al₂O₃陶瓷由于其导热系数不高29 W（m.k）,不能运用到大功率散热器件上。本次课题以AlN陶瓷基板为底材,通过薄膜电路技术制备后其表面的导带并集成薄膜电阻、电感等无源器件并加工制作金属化接地孔,有效的解决了微波电路小型化、集成化的问题,产品可靠性更佳,制造成本更低,未来在市场应用更广。1.简要介绍AlN陶瓷基板特性、应用现状及国内外研究动态,介绍本次课题自身主要研究工作,以及产品主要技术指标。2.完成AlN陶瓷基板的电路设计与工艺路线实现。设计出3种AlN基板电路:S波段电桥电路、功率电阻电路和金属化孔电路,完成后分别测试其电性能参数指标,验证是否达到设计要求;通过对AlN基板电路制作金属化方法研究,最终确定薄膜工艺路线,通过磁控溅射法进行AlN基表面金属层种植。3.对AlN基板电路制作关键工艺进行研究,研究了打孔夹具、占空比、扫描速度对激光加工质量的影响;不同清洗条件及清洗方案对表面清洗质量的影响;不同溅射工艺条件及参数对着膜质量的影响;钛钨（Ti W）抗刻蚀层对湿法蚀刻线路质量的影响以及弹性模量对划片质量的研究,完成了AlN基板电路金属化制作,并制作出了成品。4.完成AlN基3种电路基板的各项参数测试,电性能指标满足设计及使用要求。