介电泳驱动球形粒子的运动速度及其影响因素研究

来源 :哈尔滨工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:arksh
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
介电泳是微流控系统中实现粒子操控的最关键技术之一,它可以有效实现微纳米粒子的精确定位、分离、富集、捕捉与输送等。在有关介电泳的基础科学问题研究中,其速度的计算与测量仍是一个瓶颈问题,如何合理分析并利用速度的影响参数,提高介电泳的操控效率,对于微流控中粒子的精确操纵具有重要意义。本文以介电泳驱动球形粒子的运动特性为主要内容,分析了介电泳的作用机理,推导球形粒子介电泳速度公式,并对其影响因素进行分析,得出结构中▽|E|~2的分布是影响速度分布的主要因素的结论。因此,对其流道结构展开了仿真及实验研究,得到粒子速度分布较均匀的流道结构。首先在对目前常用的粒子操纵方法及介电泳速度研究现状进行概述的基础上,揭示了交流电场中介电泳现象产生的机理,推导了介电泳力公式。以聚苯乙烯微球为例,分析球形粒子在介电泳驱动下的受力情况,推导其速度公式,分析其影响因素,给出介电泳速度随溶液电导率、相对介电常数、电压及频率等参数的变化曲线,并得出芯片结构中▽|E|~2的分布是影响粒子速度分布的最主要因素的结论,为后续仿真及实验研究提供理论依据。在基本理论分析的基础上,建立了介电泳的三维静电场仿真模型,设定相应的边界条件,针对目前常用的几种电极结构进行仿真,得到其▽|E|_H~2及速度场分布规律。并以此为依据,以星型电极为基础设计了多种流道结构,进行介电泳速度仿真,得到较为理想的粒子速度控制流道结构。分析了介电泳速度的评价因素,给出速度与电场电压的变化曲线。为验证理论分析及仿真研究的正确性,设计并加工了以双曲线电极为基础的有流道结构和无流道结构的微流控芯片,并进行了介电泳对比实验研究。利用显微镜观察不同参数条件下的介电泳现象,并利用粒子图像测速法测量计算其速度值。通过对实验现象及数据的分析,得到两种结构中介电泳现象的差别以及粒子速度与相关参数的关系曲线。结果表明,本文中的介电泳实验现象与理论及仿真研究具有较好的一致性,验证了所设计流道结构的有效性。
其他文献
近几年,各地区陆续建起了公共资源交易平台。作为市场经济发展的产物,公共资源交易系统为人们的生活也提供了很多便利,但不可否认的是,其仍然存在一些问题。笔者主要针对我国
当前,培育学生发展核心素养已经成为了深化教育改革、落实立德树人的基础和核心。思想品德学科作为思想性、人文性、实践性和综合性的基础学科,于立德树人具有独特的优势,其
四氟硼酸锂(LiBF4)作为锂离子电池电解质盐具有很大的研究价值和市场前景。其具有很好的热稳定性,对水分较不敏感(耐受水份量较六氟磷酸锂约高10倍),而且具有优异的低温性能及安
建社会主义和谐社会,是中共十六届四中全会根据我国经济社会发展的新要求和我国社会出现的新趋势、新特点提出的新理论。这不仅对树立和落实科学的发展观,实现经济社会协调发
第三代宽禁带半导体材料氮化镓与传统的硅和砷化镓材料相比,具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度高等优势,因此非常适合高频大功率应用。近年来AlGaN/GaN HEMT器件由
由于高功率半导体激光器的频谱特性和光束质量非常差,限制了它在原子冷却、磁光俘获原子、拉曼光谱、泵浦固体激光器等领域中的应用。为了达到科学应用的严格要求,在过去的三十
随着电子封装互连向高密度化方向发展,三维(3D)集成封装技术成为封装产业发展和研究的重点。无铅焊料微凸点是3D-TSV叠层封装的重要互连技术之一。为了应对不断攀升的TSV密度,微
空间辐射环境对太空电子设备以及系统存在潜在的危害。在近几年,随着集成电路特征尺寸的减小,一种新型的单粒子效应的现象开始被国内外的研究学者广泛的研究,这就是模拟电路中的
非极性面的AlGaN/GaN异质结因其易于制备增强型的HEMT器件和理论上更高的发光效率而引起了研究人员的关注。实验表明非极性面的GaN材料存在着很强的各向异性,这种各向异性会引
近年来,PT对称的概念在光学领域中得到了广泛地关注。实验上,PT对称可以通过两根增益和损耗相等的波导来实现。本文我们主要介绍适用于双通道波导的耦合模理论,并且通过耦合