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氧化锌材料作为紫外发光器件,变阻器,高透明导电膜和表面声波器件,压电传感器,气体传感器和显示器以及太阳能电池材料已经受到越来越多的关注。氧化锌室温下的禁带宽度为3.37eV,激子激活能为60meV,比GaN拥有更宽的禁带宽度和更高的激子激活能,基于以上的优点以及其它特点,氧化锌将成为继GaN以后的新一带化合物半导体。氧化锌薄膜的制备工艺有很多,但与其它工艺相比热蒸发法工艺简单,易于操作,造价低廉,有利于工业生产。论文中以纯氧化锌为蒸发源料,通过热蒸发法,在硅基片上生长氧化锌薄膜,通过工艺参数的调整确定制备的最佳工艺。并采用X射线衍射,拉曼光谱,扫描电镜和阴极发光等方法对样品进行检测。同时也讨论了氧化锌薄膜的生长机理和发光性能。本论文的主要研究内容如下:尝试在1200℃到1400℃的范围内,以纯氧化锌为蒸发源,在硅基片上沉积氧化锌薄膜,并用XRD,Raman等分析方法对其成分,结构以及晶粒度进行检测,确定其最佳的生长温度。在1200℃到1400℃的范围内着重分析讨论了不同的生长条件,如基材温度,炉内气氛,保温时间等对制备氧化锌薄膜的影响在加热温度为1380℃,保温时间2.5小时,全程真空的条件下,距加热中心20cm的位置制备的样品上,我们通过SEM观察到棒状和带状的氧化锌结构,从CL发光谱中得到了紫外光和绿光的发光峰。在1380℃,保温1小时,980℃左右开始抽真空的条件下,距加热中心18cm处的样品上,氧化锌以棒状结构存在,有绿光的发光峰。而在22.5cm处的样品上,氧化锌则以纳米颗粒的形态出现,通过CL谱也观察到了绿光的发光现象。本研究是对以纯氧化锌为蒸发源制备氧化锌薄膜工艺的一个探索,对于今后的氧化锌薄膜的制备研究提供参考,并为氧化锌薄膜的应用提供依据,由于热蒸发法的设备价格低廉,也为大规模工业生产提供借鉴。