射频感应耦合等离子体源(Radio Frequency Inductively Coupled Plasma Source, RF-ICP)因其具有等离子体密度高,放电气压低,放电参数易于调节和装置结构简单等优点,已被广泛应用于材料的表面处理工艺中,如刻蚀多晶硅、各种金属以及沉积薄膜。在实际工艺过程中,等离子体的状态参数要受到电源参数、工作气体及放电腔室结构和材料的影响,进而在一定程度上影响表面处理工艺。因此,对外部参数如何影响等离子体状态进行研究变得越来越重要。本文主要针对平面线圈结构ICP的放电过程,建立二维轴对称的物理模型,使用流体力学模型,研究放电功率、放电气压、气体组分比率等外界参数对电子密度、电子温度、离子密度等的影响,并进一步分析放电的物理机制。首先利用本课题组研发的MAPS程序对Ar等离子体的放电特性进行模拟,并与COMSOL软件给出的模拟结果进行比较。结果表明：电子密度随着气压和功率的增加呈线性增加,电子温度和等离子体电势的变化与气压的变化趋势相反,并且几乎不随功率变化。这与COMSOL软件给出的模拟结果基本吻合。在本文的最后,我们研究了外界参数对氩/氧(Ar/O2)混合等离子体特性的影响。研究结果表明,放电功率的变化仅对等离子体特征参数的峰值有影响,对空间分布影响很小。放电气压和氩/氧比率不但对特征参数的峰值有影响,对空间分布也有影响。最后,为了验证模拟结果的可靠性,我们将不同氧气含量和气压下的模拟结果、实验诊断结果和COMSOL计算结果进行比较,发现模拟结果、实验结果和软件计算结果在定性上符合的很好。