【摘 要】
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氮化铝(AlN)作为第三代半导体材料的代表,具备宽带隙(6.2e V)、高热导率、高击穿场强、耐高温以及耐化学腐蚀等优异特性,在微电子和光电子领域具有巨大应用前景。物理气相传输(PVT)法被认为是制备大尺寸AlN单晶体最有效的方法。目前,采用PVT法制备的AlN晶体尺寸已经达到两英寸。AlN晶体PVT法生长的温度十分高(超过2400K),且生长窗口窄,故对生长系统提出了很高的要求,特别是衬底材料。
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氮化铝(AlN)作为第三代半导体材料的代表,具备宽带隙(6.2e V)、高热导率、高击穿场强、耐高温以及耐化学腐蚀等优异特性,在微电子和光电子领域具有巨大应用前景。物理气相传输(PVT)法被认为是制备大尺寸AlN单晶体最有效的方法。目前,采用PVT法制备的AlN晶体尺寸已经达到两英寸。AlN晶体PVT法生长的温度十分高(超过2400K),且生长窗口窄,故对生长系统提出了很高的要求,特别是衬底材料。目前可用的衬底材料主要为耐高温的钨、碳化钽、碳化硅等屈指可数的几种。AlN晶体与这些衬底之间存在一定的晶
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多孔材料,例如活性炭、分子筛、介孔硅等,在人类的生产和生活中发挥了重要作用。但是传统的多孔材料在发展过程中也存在一些问题,例如结构的不确定性、比表面积突破较困难等。1999年,O.M.Yaghi教授报道了金属有机框架材料(Metal-Organic Frameworks,MOFs)MOF-5,迅速引起了科学家们的广泛关注。在过去的二十多年里,依据一套完善的配位化学原理,科学家们在制备新型金属有机框
随着现代科技的飞速进步,精密和超精密运动导轨和运动工作台在超精密加工、光学精密测量、半导体等领域有着举足轻重的作用。与传统的二维工作台相比较有着更高的精度和响应速度,但也存在着承载小、刚度低和双轴垂直度精度较差等问题。为此,本课题室自主研发了一种以精密计量方箱为结构基准的双轴气浮工作台,它的性能对后续工作台的搭建和工件加工测量的精度和效率有着深远的影响。因此,为了准确掌握气浮工作台的性能及特性,本
挥发性有机化合物在人类生产生活中广泛存在,在化学、材料、医学、环境和食品等诸多领域发挥着重要作用,其含量和结构的不同将会导致物质性质和功能的显著差异,因此挥发性有机物的快速分析具有重要意义。目前挥发性有机化合物的分析方法主要有气相色谱质谱联用法、选择离子流动管质谱法和质子转移反应质谱法等,但是这些方法还存在一些弊端。如气相色谱质谱联用法通常需要复杂的样品预处理,样品耗量大,操作繁琐,费时费力。此外
非球面光学元件由于具有优良的光学性能,在现代光学系统中应用的越来越普遍。离子束修形具有去除函数稳定、非接触式加工和加工精度高等优点,常被应用于高精度非球面的加工。在离子束三轴抛光系统中,相比于平面光学元件,非球面上的去除函数发生明显变化,驻留时间计算方法也与平面不同,加工难度相对较高。针对非球面加工中的各种问题,本文对非球面上去除函数模型建立、面形偏差计算、路径规划、驻留时间求解以及离子束修形计算
针对水资源的污染与短缺问题,人类始终在不断探索更加环保的处理方案。光催化作为一项绿色环保技术,其可将太阳能转化为化学能,用来处理水污染问题备受好评。光催化剂中,TiO_2各项性能优异,但商业化制备出的TiO_2即P25,反应是在高温条件下进行,过程会出现一定腐蚀,故而制备产品的设备需要具备抗腐蚀性,并且操作技术要求高。因此需要寻找制备方法简单且性能高的TiO_2。本实验对TiO_2进行了如下主要研