本文对单片式开关电源管理芯片中的部分子电路进行了研究与设计。该开关电源管理芯片内部集成了耐压达730V的开关功率MOS管,额定工作频率为60KHZ,最大输出功率为8W,内部集成有保护电路,因此配以简单的外围元件即可构成完整的开关电源解决方案。由于芯片中采用了陈星弼教授的专利,不采用介质隔离或PN结隔离(即BCD工艺)技术,而用普通CMOS工艺将高压功率器件与低压CMOS控制电路集成在一块硅片上的方法,使功率集成电路的成本大大降低。论文首先简单介绍了开关电源电路的典型拓扑结构、调制方式与控制模式,然后详细介绍了本文设计的开关电源管理芯片的结构框架与工作原理。接着,详细分析了该开关电源管理芯片中部分子电路,如防误触发电路、Regulator模块与基准电压源电路、振荡器模块与上升沿检测电路、电流检测反馈模块与前沿消隐电路、跳周期控制电路。最后,简单介绍了该开关电源管理芯片的版图设计与部分性能测试结果。