【摘 要】
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为研究SIGaAs的电荷传输特性,该文用双侧金属接触和双侧欧姆接触SIGaAs结构分别对SIGaAs与金属直接接触和欧姆接触的电荷传输特性进行了研究,建立了相应的数理模型.参考消息
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为研究SIGaAs的电荷传输特性,该文用双侧金属接触和双侧欧姆接触SIGaAs结构分别对SIGaAs与金属直接接触和欧姆接触的电荷传输特性进行了研究,建立了相应的数理模型.参考消息同接触条件、不同外加偏压和不同载流子注入时的空间电荷 分布、电场分布以及电子和空穴电导率分布进行了模拟计算,分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对电流-电压特性的影响.在数理模型的建立和计算中涉及的EL2浓度和载流子浓度分别用红外吸收法和Hall效应法测量.双侧欧姆接触半绝缘GaAs结构,在半绝缘GaAs侧形成负的空间电荷区外加电压后,正偏侧注入少子空穴,多子浓度降低,形成低电导率的空间电荷 区,随外加电压的增大该空间电荷区迅速缩小,对电流-电压特性的影响可以忽略.反偏侧注入多子电子,使空间电荷区扩大,形成高电导率区,从而使电流-电压曲线变为非线性.当外加电压增大,使空间电荷区扩展到整个榈时,电流-电压特性曲线恢复线性,只不过其斜率将改变,整个样品的电导变大,电流-电压特性曲线的斜率变大.
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