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来源 :兰州大学 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
SOI技术是下一代微电子技术的重要研究方向,它具有功耗小,速度高,等比例缩小特性良好等优异性质,而SOI MOSFET则是下一代集成电路的基本工作器件,它的基本电学性能的研究是目
【作 者】
:
童亚钦
【机 构】
:
兰州大学
【出 处】
:
兰州大学
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
SOI
SOI MOSFET
一代集成电路
电学性能
器件模拟器
电势
载流子浓度
栅极阈值电压
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