在电子器件制造中，可靠的微连接已成为保证产品质量最关键的技术前提之一。钎焊作为目前微连接的主要形式，其焊点服役过程的可靠性对电子产品质量至关重要。电子元件服役期间，凸点下金属(UBM)与焊料相互扩散并发生反应，形成金属间化合物（IMC）。IMC生长会导致焊点脆性增加，导电性能变化，微孔洞萌生，严重时会导致微连接接头失效。界面组元直接的互扩散导致了IMC的形成，焊盘的晶粒度对界面元素的扩散有重要作用。工业生产采用的焊盘为电镀铜（EP Cu），晶粒远小于高纯铜（HP Cu）。但研究者大多采用HP Cu焊盘作为材料研究界面反应，而目前焊盘晶粒度在界面反应中的作用相关研究较少。　　本课题针对当前电子封装中Sn/Cu接头可靠性研究的局限，采用物理沉积（Physical Vapor Deposition）法制备的PVD Cu，和高纯铜（High Pure Cu）分别作为Sn/Cu界面反应的焊盘。采用回流及电镀技术制备回流Sn/Cu界面和电镀Sn/Cu（EP Sn/Cu）界面，分别用以研究Sn/Cu界面反应特点和微孔洞形成机制；采用场发射扫描电镜FE-SEM表征化合物的生长状态，通过分析比较回流Sn/Cu界面反应产物的形态和厚度，拟合Sn/Cu界面反应中IMC生长动力学，得到不同焊盘界面反应动力学常数。分析EP Sn/Cu经过热老化产生的微孔洞分布及密度，得到微孔洞形成机理。研究发现，焊盘晶粒细化后Sn/Cu界面液相反应激活能降低，界面化合物厚度明显增加；并且在150℃下保温界面处易出现微孔洞。